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Tesi di dottorato
dott. Mauro Ballicchia
Titolo: Modelling and design techniques for radio frequency integrated circuits
Coordinatore: Prof. Francesco Piazza
Dottorato: Ingegneria elettronica, informatica e delle telecomunicazioni
Ciclo: VII° - Nuova Serie (XXI Ciclo)
- Abstract
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Fin dalla loro introduzione i circuiti integrati (IC's) hanno trovato spazio quasi in ogni ambito della vita quotidiana. Recentemente l'enorme crescita commerciale dei sistemi di comunicazione wireless ha determinato un aumento nella richiesta di transceiver portatili a basso costo. Questo aspetto ha dato vita ad un'intensa attività di ricerca nel campo dei circuiti integrati a radio frequenza (RF IC's) realizzati su silicio. In particolare, a causa delle alte frequenze a cui operano i moderni sistemi di comunicazione e a causa della conduttività relativamente alta dei substrati in silicio, gli effetti parassiti determinano un drastico calo delle performance degli RF IC. Pertanto gran parte dell'attività di ricerca si è concentrata sullo sviluppo di modelli sempre più accurati, specialmente per i dispositivi passivi che sono più sensibili a queste problematiche, e di nuove tecniche di progetto, che permettano di ottimizzare il comportamento del circuito tenendo in considerazione anche gli effetti parassiti. Oltre ai suddetti problemi che sono maggiormente connessi con l'aspetto fisico e circuitale del progetto, la capacità delle tecnologie basate sul silicio di realizzare sia la parte a radio frequenza che la parte digitale di un transceiver fornisce l'opportunità di integrare entrambe le parti sullo stesso chip, ottenendo quello che in gergo si chiama appunto un system on chip (SoC). Di conseguenza modelli che descrivano il comportamento dei dispositivi a radio frequenza, prescindendo dalla loro reale implementazione e che richiedano una bassa complessità di calcolo, sono uno strumento essenziale per la progettazione di sistemi complessi come i SoC. Questo lavoro di tesi propone alcuni nuovi modelli e alcune tecniche di progetto innovative per circuiti integrati a radio frequenza riguardanti tutti i livelli del flusso di progetto, a partire dal livello fisico fino a quello di sistema. Per quel che concerne il livello fisico è stata sviluppata una nuova metodologia per l'ottimizzazione del fattore di qualità degli induttori a spirale planare. Questa metodologia sfrutta l'applicazione di un approccio variazionale per problemi inversi mal posti al fine di minimizzare il numero di simulazioni elettromagnetiche accurate necessarie per l'ottimizzazione. Inoltre una tecnica di deembedding innovativa per circuiti a microonde, di recente pubblicazione, è stata estesa con l'obbiettivo di applicarla alla rimozione degli effetti del package nelle misure di circuiti integrati a radiofrequenza. Nell'ambito della progettazione a livello circuitale alcuni contributi sono stati forniti nello sviluppo e nelle tecniche di estrazione di modelli circuitali equivalenti per induttori integrati. È stata anche sviluppata una tecnica per l'ottimizzazione di reti di adattamanto con perdite, che consente l'utilizzo di modelli accurati di dispositivi passivi. Nell'ultima parte del lavoro, che riguarda la progettazione a livello di sistema, è stata presentata una nuova tecnica per lo sviluppo di modelli behavioural di dispositivi RF. Questa tecnica è stata applicata per implementare modelli di amplificatori e mixer in SystemC- WMS, i quali a loro volta sono stati impiegati per realizzare un modello systemlevel di un transceiver Bluetooth. Questo modello, realizzato mediante l'utilizzo combinato del SystemC per la parte digitale e del SystemCWMS per la parte a radio frequenza, consente di eseguire simulazioni analogico-digitali dell'intero sistema.
- Abstract (english version)
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Since their introduction, integrated circuits (IC's) have pervaded nearly every aspect of modern life. Recently the huge commerciaI growth of wireless communication systems has determined an increase on the demand of low-cost portable transceivers. This aspect has given life to an intense research activity in the field of silicon radio frequency integrated circuits (RF IC's). Indeed, due to the high frequency of operation of the modern wireless communication systems and due to high conductivity of silicon substrates, the parasitic effects cause a drastic degradation on
the performance of RF IC's. Therefore a large part of the research activity has been concentrated on the development of even more accurate device models, especially for passive devices which suffer more of these problems, and also on the development of novel design techniques that allow to optimize the behaviour of the circuit, taking into account the parasitic effects. Besides the abovementioned problems, which are related to the physical and the circuit level of RF IC design, the capability ofthe silicon technology to realize both the radio frequency and digital part of a transceiver provides the opportunity to integrate both of them on the same chip, obtaining a so called system on chip (SoC). Therefore behavioural models for radio frequency devices, independent from a specific hardware implementation and not computational expensive, are an essential tool for the design of such a complex system. This thesis proposes some new modelling approaches and design techniques for radio frequency integrated circuits at all levels of the design flow, from physical to system-level. For what concerning the physical level a new methodology to optimize the quality factor of planar spiral inductors has been developed. This methodology exploits the application of a variational approach for inverse ill-posed problems in order to minimize the number of accurate electromagnetic simulations needed to solve the problem. Moreover an innovative deembedding technique for microwave applications, that has been recently presented in literature, has been extended with the aim of removing the package effects from RF IC measurements. In the field of circuit-level design some contributions have been provided on the development and on the extraction techniques of equivalent circuit models for integrated inductors. It has also been developed a methodology for optimizing matching networks with losses, by allowing the employment of accurate models for passive devices.
In the last part of the work, regarding system-level design, an innovative technique on behavioural modelling of RF devices has been presented. This technique has been applied to implement models of generic amplifiers and mixers in SystemC- WMS, which has been employed to realize a system-level model of a Bluetooth transceiver. This model, developed by a combined use of SystemC for the digital part and SystemCWMS for the radio frequency part, allows to perform analog-digital simulations of the whole system.
Per informazioni rivolgersi a:
Ripartizione Dottorato di ricerca tel: 071 2202217 email: dottorato@univpm.it
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